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在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存，港臺稱之為記憶體）。
內(nèi)存
內(nèi)存
內(nèi)存又稱主存，是CPU能直接尋址的存儲空間，由半導體器件制成。內(nèi)存的特點是存取速率快。內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等，一般都是安裝在硬盤等外存上的，但僅此是不能使用其功能的，必須把它們調(diào)入內(nèi)存中運行，才能真正使用其功能，我們平時輸入一段文字，或玩一個游戲，其實都是在內(nèi)存中進行的。就好比在一個書房里，存放書籍的書架和書柜相當于電腦的外存，而我們工作的辦公桌就是內(nèi)存。通常我們把要永久保存的、大量的數(shù)據(jù)存儲在外存上，而把一些臨時的或少量的數(shù)據(jù)和程序放在內(nèi)存上，當然內(nèi)存的好壞會直接影響電腦的運行速度。
內(nèi)存就是暫時存儲程序以及數(shù)據(jù)的地方，比如當我們在使用WPS處理文稿時，當你在鍵盤上敲入字符時，它就被存入內(nèi)存中，當你選擇存盤時，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)才會被存入硬（磁）盤。在進一步理解它之前，還應認識一下它的物理概念。
DDR 和DDR2 技術(shù)對比的數(shù)據(jù)
DDR 和DDR2 技術(shù)對比的數(shù)據(jù)
內(nèi)存一般采用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過因為RAM是其中最重要的存儲器。（synchronous）SDRAM同步動態(tài)隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內(nèi)存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈沖的上升沿便開始傳遞數(shù)據(jù)，速度比EDO內(nèi)存提高50%。DDR（DOUBLE DATA RATE）RAM ：SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，他允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。
●只讀存儲器（ROM）
ROM表示只讀存儲器（Read Only Memory），在制造ROM的時候，信息（數(shù)據(jù)或程序）就被存入并永久保存。這些信息只能讀出，一般不能寫入，即使機器停電，這些數(shù)據(jù)也不會丟失。ROM一般用于存放計算機的基本程序和數(shù)據(jù)，如BIOS ROM。其物理外形一般是雙列直插式（DIP）的集成塊。
●隨機存儲器（RAM）
內(nèi)存
內(nèi)存
隨機存儲器（Random Access Memory）表示既可以從中讀取數(shù)據(jù)，也可以寫入數(shù)據(jù)。當機器電源關(guān)閉時，存于其中的數(shù)據(jù)就會丟失。我們通常購買或升級的內(nèi)存條就是用作電腦的內(nèi)存，內(nèi)存條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計算機中的內(nèi)存插槽上，以減少RAM集成塊占用的空間。目前市場上常見的內(nèi)存條有1G/條，2G/條，4G/條等。
●高速緩沖存儲器（Cache）
Cache也是我們經(jīng)常遇到的概念，也就是平?？吹降?a href='http://tools.kfqgw-jgdw.cn/DetailInfo.aspx?nid=1788' target='_blank'>一級緩存(L1 Cache）、二級緩存(L2 Cache）、三級緩存(L3 Cache）這些數(shù)據(jù)，它位于CPU與內(nèi)存之間，是一個讀寫速度比內(nèi)存更快的存儲器。當CPU向內(nèi)存中寫入或讀出數(shù)據(jù)時，這個數(shù)據(jù)也被存儲進高速緩沖存儲器中。當CPU再次需要這些數(shù)據(jù)時，CPU就從高速緩沖存儲器讀取數(shù)據(jù)，而不是訪問較慢的內(nèi)存，當然，如需要的數(shù)據(jù)在Cache中沒有，CPU會再去讀取內(nèi)存中的數(shù)據(jù)。
●物理存儲器和地址空間
物理存儲器和存儲地址空間是兩個不同的概念。但是由于這兩者有十分密切的關(guān)系，而且兩者都用B、KB、MB、GB來度量其容量大小，因此容易產(chǎn)生認識上的混淆。初學者弄清這兩個不同的概念，有助于進一步認識內(nèi)存儲器和用好內(nèi)存儲器。
內(nèi)存
內(nèi)存
物理存儲器是指實際存在的具體存儲器芯片。如主板上裝插的內(nèi)存條和裝載有系統(tǒng)的BIOS的ROM芯片，顯示卡上的顯示RAM芯片和裝載顯示BIOS的ROM芯片，以及各種適配卡上的RAM芯片和ROM芯片都是物理存儲器。
存儲地址空間是指對存儲器編碼（編碼地址）的范圍。所謂編碼就是對每一個物理存儲單元（一個字節(jié)）分配一個號碼，通常叫作“編址”。分配一個號碼給一個存儲單元的目的是為了便于找到它，完成數(shù)據(jù)的讀寫，這就是所謂的“尋址”（所以，有人也把地址空間稱為尋址空間）。
地址空間的大小和物理存儲器的大小并不一定相等。舉個例子來說明這個問題：某層樓共有17個房間，其編號為801～817。這17個房間是物理的，而其地址空間采用了三位編碼，其范圍是800～899共100個地址，可見地址空間是大于實際房間數(shù)量的。
對于386以上檔次的微機，其地址總線為32位，因此地址空間可達2的32次方，即4GB。（雖然如此，但是我們一般使用的一些操作系統(tǒng)例如windows xp、卻最多只能識別或者使用3.25G的內(nèi)存，64位的操作系統(tǒng)能識別并使用4G和4G以上的的內(nèi)存，
好了，現(xiàn)在可以解釋為什么會產(chǎn)生諸如：常規(guī)內(nèi)存、保留內(nèi)存、上位內(nèi)存、高端內(nèi)存、擴充內(nèi)存和擴展內(nèi)存等不同內(nèi)存類型。
分類
各種內(nèi)存
這里需要明確的是，我們討論的不同內(nèi)存的概念是建立在尋址空間上的。IBM推出的第一臺PC機采用的CPU是8088芯片，它只有20根地址線，也就是說，它的地址空間是1MB。
PC機的設(shè)計師將1MB中的低端640KB用作RAM，供DOS及應用程序使用，高端的384KB則保留給ROM、視頻適配卡等系統(tǒng)使用。從此，這個界限便被確定了下來并且沿用至今。低端的640KB就被稱為常規(guī)內(nèi)存即PC機的基本RAM區(qū)。保留內(nèi)存中的低128KB是顯示緩沖區(qū)，高64KB是系統(tǒng)BIOS（基本輸入/輸出系統(tǒng)）空間，其余192KB空間留用。從對應的物理存儲器來看，基本內(nèi)存區(qū)只使用了512KB芯片，占用0000至7FFFF這512KB地址。顯示內(nèi)存區(qū)雖有128KB空間，但對單色顯示器（MDA卡）只需4KB就足夠了，因此只安裝4KB的物理存儲器芯片，占用了B0000至B0FFF這4KB的空間，如果使用彩色顯示器（CGA卡）需要安裝16KB的物理存儲器，占用B8000至BBFFF這16KB的空間，可見實際使用的地址范圍都小于允許使用的地址空間。
在當時（1980年末至1981年初）這么“大”容量的內(nèi)存對PC機使用者來說似乎已經(jīng)足夠了，但是隨著程序的不斷增大，圖象和聲音的不斷豐富，以及能訪問更大內(nèi)存空間的新型CPU相繼出現(xiàn)，最初的PC機和MS－DOS設(shè)計
內(nèi)存
內(nèi)存
的局限性變得越來越明顯。
內(nèi)存
內(nèi)存
擴充內(nèi)存
到1984年，即286被普遍接受不久，人們越來越認識到640KB的限制已成為大型程序的障礙，這時，Intel和Lotus，這兩家硬、軟件的杰出代表，聯(lián)手制定了一個由硬件和軟件相結(jié)合的方案，此方法使所有PC機存取640KB以上RAM成為可能。而Microsoft剛推出Windows不久，對內(nèi)存空間的要求也很高，因此它也及時加入了該行列。
在1985年初，Lotus、Intel和Microsoft三家共同定義了LIM－EMS，即擴充內(nèi)存規(guī)范，通常稱EMS為擴充內(nèi)存。當時，EMS需要一個安裝在I/O槽口的內(nèi)存擴充卡和一個稱為EMS的擴充內(nèi)存管理程序方可使用。但是I/O插槽的地址線只有24位（ISA總線），這對于386以上檔次的32位機是不能適應的。所以，現(xiàn)在已很少使用內(nèi)存擴充卡?，F(xiàn)在微機中的擴充內(nèi)存通常是用軟件如DOS中的EMM386把擴展內(nèi)存模擬或擴充內(nèi)存來使用。所以，擴充內(nèi)存和擴展內(nèi)存的區(qū)別并不在于其物理存儲器的位置，而在于使用什么方法來讀寫它。下面將作進一步介紹。
前面已經(jīng)說過擴充存儲器也可以由擴展存儲器模擬轉(zhuǎn)換而成。EMS的原理和XMS不同，它采用了頁幀方式。頁幀是在1MB空間中指定一塊64KB空間（通常在保留內(nèi)存區(qū)內(nèi)，但其物理存儲器來自擴展存儲器），分為4頁，每頁16KB。EMS存儲器也按16KB分頁，每次可交換4頁內(nèi)容，以此方式可訪問全部EMS存儲器。符合EMS的驅(qū)動程序很多，常用的有EMM386.EXE、QEMM、TurboEMS、386MAX等。DOS和Windows中都提供了EMM386.EXE。
擴展內(nèi)存
我們知道，286有24位地址線，它可尋址16MB的地址空間，而386有32位地址線，它可尋址高達4GB的地址空間，為了區(qū)別起見，我們把1MB以上的地址空間稱為擴展內(nèi)存XMS（eXtend memory）。
擴展內(nèi)存圖解
擴展內(nèi)存圖解
在386以上檔次的微機中，有兩種存儲器工作方式，一種稱為實地址方式或?qū)嵎绞?，另一種稱為保護方式。在實方式下，物理地址仍使用20位，所以最大尋址空間為1MB，以便與8086兼容。保護方式采用32位物理地址，尋址范圍可達4GB。DOS系統(tǒng)在實方式下工作，它管理的內(nèi)存空間仍為1MB，因此它不能直接使用擴展存儲器。為此，Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS－DOS下擴展內(nèi)存的使用標準，即擴展內(nèi)存規(guī)范XMS。我們常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理擴展內(nèi)存的驅(qū)動程序。
擴展內(nèi)存管理規(guī)范的出現(xiàn)遲于擴充內(nèi)存管理規(guī)范。
高端內(nèi)存區(qū)
在實方式下，內(nèi)存單元的地址可記為：
段地址：段內(nèi)偏移
高端內(nèi)存
高端內(nèi)存
通常用十六進制寫為XXXX：XXXX。實際的物理地址由段地址左移4位再和段內(nèi)偏移相加而成。若地址各位均為1時，即為FFFF：FFFF。其實際物理地址為：FFF0+FFFF=10FFEF，約為1088KB（少16字節(jié)），這已超過1MB范圍進入擴展內(nèi)存了。這個進入擴展內(nèi)存的區(qū)域約為64KB，是1MB以上空間的第一個64KB。我們把它稱為高端內(nèi)存區(qū)HMA（High Memory Area）。HMA的物理存儲器是由擴展存儲器取得的。因此要使用HMA，必須要有物理的擴展存儲器存在。此外HMA的建立和使用還需要XMS驅(qū)動程序HIMEM.SYS的支持，因此只有裝入了HIMEM.SYS之后才能使用HMA。
上位內(nèi)存
為了解釋上位內(nèi)存的概念，我們還得回過頭看看保留內(nèi)存區(qū)。保留內(nèi)存區(qū)是指640KB～1024KB（共384KB）區(qū)域。這部分區(qū)域在PC誕生之初就明確是保留給系統(tǒng)使用的，用戶程序無法插足。但這部分空間并沒有充分使用，因此大家都想對剩余的部分打主意，分一塊地址空間（注意：是地址空間，而不是物理存儲器）來使用。于是就得到了又一塊內(nèi)存區(qū)域UMB。
UMB（Upper Memory Blocks）稱為上位內(nèi)存或上位內(nèi)存塊。它是由擠占保留內(nèi)存中剩余未用的空間而產(chǎn)生的，它的物理存儲器仍然取自物理的擴展存儲器，它的管理驅(qū)動程序是EMS驅(qū)動程序。
影子內(nèi)存
對于細心的讀者，可能還會發(fā)現(xiàn)一個問題：即是對于裝有1MB或1MB以上物理存儲器的機器，其640KB～1024KB這部分物理存儲器如何使用的問題。由于這部分地址空間已分配為系統(tǒng)使用，所以不能再重復使
內(nèi)存
內(nèi)存
用。為了利用這部分物理存儲器，在某些386系統(tǒng)中，提供了一個重定位功能，即把這部分物理存儲器的地址重定位為1024KB～1408KB。這樣，這部分物理存儲器就變成了擴展存儲器，當然可以使用了。但這種重定位功能在當今高檔機器中不再使用，而把這部分物理存儲器保留作為Shadow存儲器。Shadow存儲器可以占據(jù)的地址空間與對應的ROM是相同的。Shadow由RAM組成，其速度大大高于ROM。當把ROM中的內(nèi)容（各種BIOS程序）裝入相同地址的Shadow RAM中，就可以從RAM中訪問BIOS，而不必再訪問ROM。這樣將大大提高系統(tǒng)性能。因此在設(shè)置CMOS參數(shù)時，應將相應的Shadow區(qū)設(shè)為允許使用（Enabled）。
奇偶校驗
奇/偶校驗（ECC）是數(shù)據(jù)傳送時采用的一種校正數(shù)據(jù)錯誤的一種方式，分為奇校驗和偶校驗兩種。
如果是采用奇校驗，在傳送每一個字節(jié)的時候另外附加一位作為校驗位，當實際數(shù)據(jù)中“1”的個數(shù)為偶數(shù)的時候，這個校驗位就是“1”，否則這個校驗位就是“0”，這樣就可以保證傳送數(shù)據(jù)滿足奇校驗的要求。在接收方收到數(shù)據(jù)時，將按照奇校驗的要求檢測數(shù)據(jù)中“1”的個數(shù)，如果是奇數(shù)，表示傳送正確，否則表示傳送錯誤。
同理偶校驗的過程和奇校驗的過程一樣，只是檢測數(shù)據(jù)中“1”的個數(shù)為偶數(shù)。
CL延遲
CL反應時間是衡定內(nèi)存的另一個標志。CL是CAS Latency的縮寫，指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間，簡單的說，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應所需的時間越短。在早期的PC133內(nèi)存標準中，這個數(shù)值規(guī)定為3，而在Intel重新制訂的新規(guī)范中，強制要求CL的反應時間必須為2，這樣在一定程度上，對于內(nèi)存廠商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對較高，同時也保證了更優(yōu)秀的品質(zhì)。因
內(nèi)存
內(nèi)存
此在選購品牌內(nèi)存時，這是一個不可不察的因素。
還有另的詮釋：內(nèi)存延遲基本上可以解釋成是系統(tǒng)進入數(shù)據(jù)進行存取操作就序狀態(tài)前等待內(nèi)存響應的時間。打個形象的比喻，就像你在餐館里用餐的過程一樣。你首先要點菜，然后就等待服務(wù)員給你上菜。同樣的道理，內(nèi)存延遲時間設(shè)置的越短，電腦從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)的速度也就越快，進而電腦其他的性能也就越高。這條規(guī)則雙雙適用于基于英特爾以及AMD處理器的系統(tǒng)中。由于沒有比2-2-2-5更低的延遲，因此國際內(nèi)存標準組織認為以現(xiàn)在的動態(tài)內(nèi)存技術(shù)還無法實現(xiàn)0或者1的延遲。
通常情況下，我們用4個連著的阿拉伯數(shù)字來表示一個內(nèi)存延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個數(shù)字最為重要，它表示的是CAS Latency，也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間。第二個數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲，接下來的兩個數(shù)字分別表示的是RAS預充電時間和Act-to-Precharge延遲。而第四個數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個。
總結(jié)
經(jīng)過上面分析，內(nèi)存儲器的劃分可歸納如下：
●基本內(nèi)存占據(jù)0～640KB地址空間。
●保留內(nèi)存占據(jù)640KB～1024KB地址空間。分配給顯示緩沖存儲器、各適配卡上的ROM和系統(tǒng)ROM BIOS，剩余空間可作上位內(nèi)存UMB。UMB的物理存儲器取自物理擴展存儲器。此范圍的物理RAM可作為
內(nèi)存
內(nèi)存
Shadow RAM使用。
●上位內(nèi)存（UMB）利用保留內(nèi)存中未分配使用的地址空間建立，其物理存儲器由物理擴展存儲器取得。UMB由EMS管理，其大小可由EMS驅(qū)動程序設(shè)定。
●高端內(nèi)存（HMA）擴展內(nèi)存中的第一個64KB區(qū)域（1024KB～1088KB）。由HIMEM.SYS建立和管理。
●XMS內(nèi)存符合XMS規(guī)范管理的擴展內(nèi)存區(qū)。其驅(qū)動程序為HIMEM.SYS。
●EMS內(nèi)存符合EMS規(guī)范管理的擴充內(nèi)存區(qū)。其驅(qū)動程序為EMM386.EXE等。
內(nèi)存：隨機存儲器（RAM），主要存儲正在運行的程序和要處理的數(shù)據(jù)。
頻率
內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習慣上被用來表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達到的速度越快。內(nèi)
內(nèi)存頻率測試圖
內(nèi)存頻率測試圖
存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內(nèi)存頻率是800MHz的DDR2內(nèi)存，以及一些內(nèi)存頻率更高的DDR3內(nèi)存。
大家知道，計算機系統(tǒng)的時鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動起來，這一震動可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動以正弦調(diào)和變化的電流的形式表現(xiàn)出來，這一變化的電流就是時鐘信號。而內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器，因此內(nèi)存工作時的時鐘信號是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時鐘發(fā)生器提供的，也就是說內(nèi)存無法決定自身的工作頻率，其實際工作頻率是由主板來決定的。
DDR內(nèi)存和DDR2內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內(nèi)存顆粒實際的工作頻率，但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍；而DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。
發(fā)展
在計算機誕生初期并不存在內(nèi)存條的概念，最早的內(nèi)存是以磁芯的形式排列在線路上，每個磁芯與晶體管組成的一個雙穩(wěn)態(tài)電路作為一比特（BIT）的存儲器，每一比特都要有玉米粒大小，可以想象一間的機房只能裝下不超過百k字節(jié)左右的容量。后來才出線現(xiàn)了焊接在主板上集成內(nèi)存芯片，以內(nèi)存芯片的形式為計算機的運算提供直接支持。那時的內(nèi)存芯片容量都特別小，最常見的莫過于256K×1bit、1M×4bit，雖然如此，但這相對于那時的運算任務(wù)來說卻已經(jīng)綽綽有余了。
內(nèi)存條
內(nèi)存芯片的狀態(tài)一直沿用到286初期，鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病，這對于計算機的發(fā)展造成了現(xiàn)實的阻礙。有鑒于此，內(nèi)存條便應運而生了。將內(nèi)存芯片焊接到事先設(shè)計好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內(nèi)存插槽。這樣就把內(nèi)存難以安裝和更換的問題徹底解決了。
在80286主板發(fā)布之前，內(nèi)存并沒有被世人所重視，這個時候的內(nèi)存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，對于當時PC所運行的工作程序來說，這種內(nèi)存的性能以及容量足以滿足當時軟件程序的處理需要。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺的出現(xiàn)，程序和硬件對內(nèi)存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴大容量，內(nèi)存必須以獨立的封裝形式出現(xiàn)，因而誕生了“內(nèi)存條”概念。
在80286主板剛推出的時候，內(nèi)存條采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，單邊接觸內(nèi)存模組）接口，容量為30pin、256kb，必須是由8 片數(shù)據(jù)位和1 片校驗位組成1 個bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年PC進入民用市場一直到現(xiàn)在，搭配80286處理器的30pin SIMM內(nèi)存是內(nèi)存領(lǐng)域的開山鼻祖。
隨后，在1988 ～1990 年當中，PC 技術(shù)迎來另一個發(fā)展高峰，也就是386和486時代，此時CPU 已經(jīng)向16bit 發(fā)展，所以30pin SIMM內(nèi)存再也無法滿足需求，其較低的內(nèi)存帶寬已經(jīng)成為急待解決的瓶頸，所以此時72pin SIMM 內(nèi)存出現(xiàn)了，72pin SIMM支持32bit快速頁模式內(nèi)存，內(nèi)存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內(nèi)存單條容量一般為512KB ～2MB，而且僅要求兩條同時使用，由于其與30pin SIMM 內(nèi)存無法兼容，因此這個時候PC業(yè)界毅然將30pin SIMM 內(nèi)存淘汰出局了。
EDO DRAM（Extended Date Out RAM 外擴充數(shù)據(jù)模式存儲器）內(nèi)存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內(nèi)存條，EDO DRAM同FPM DRAM（Fast Page Mode RAM 快速頁面模式存儲器）極其相似，它取消了擴展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數(shù)據(jù)發(fā)送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應用在當時的486及早期的Pentium電腦上。
在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個尷尬的情況，那就是這幾年內(nèi)存技術(shù)發(fā)展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDO DRAM有72 pin和168 pin并存的情況，事實上EDO內(nèi)存也屬于72pin SIMM 內(nèi)存的范疇，不過它采用了全新的尋址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，憑借著制作工藝的飛速發(fā)展，此時單條EDO內(nèi)存的容量已經(jīng)達到4 ～16MB。由于Pentium及更高級別的CPU數(shù)據(jù)總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDO DRAM與FPM DRAM都必須成對使用。
SDRAM
自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關(guān)的主板芯片組推出后，EDO DRAM內(nèi)存性能再也無法滿足需要了，內(nèi)存技術(shù)必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構(gòu)的需求，此時內(nèi)存開始進入比較經(jīng)典的SDRAM時代。
第一代SDRAM內(nèi)存為PC66 規(guī)范，但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內(nèi)存很快就被PC100內(nèi)存取代，接著133MHz 外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規(guī)范也以相同的方式進一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit，正好對應CPU 的64bit 數(shù)據(jù)總線寬度，因此它只需要一條內(nèi)存便可工作，便捷性進一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信號保持與系統(tǒng)外頻同步，因此速度明顯超越EDO 內(nèi)存。
不可否認的是，SDRAM內(nèi)存由早期的66MHz，發(fā)展后來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決內(nèi)存帶寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經(jīng)成為DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內(nèi)存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現(xiàn)了一些PC150、PC166規(guī)范的內(nèi)存。
盡管SDRAM PC133內(nèi)存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經(jīng)開始著手最新的Pentium 4計劃，所以SDRAM PC133內(nèi)存不能滿足日后的發(fā)展需求，此時，Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯(lián)合在PC市場推廣Rambus DRAM內(nèi)存（稱為RDRAM內(nèi)存）。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機）理論，這個理論可以減少數(shù)據(jù)的復雜性，使得整個系統(tǒng)性能得到提高。
在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬于頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，因此Rambus DRAM內(nèi)存是被Intel看著是未來自己的競爭殺手锏，Rambus DRAM內(nèi)存以高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數(shù)據(jù)量，因此內(nèi)存帶寬相當出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被認為是Pentium 4 的絕配。
盡管如此，Rambus RDRAM內(nèi)存生不逢時，后來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位，在當時，PC600、PC700的Rambus RDRAM 內(nèi)存因出現(xiàn)Intel820芯片組“失誤事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平臺高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規(guī)范RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 內(nèi)存面前。
DDR時代
DDRSDRAM(Double Data Rate SDRAM）簡稱DDR，也就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本，DDR在時鐘信號上升沿與下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速度為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信號，因此并不會造成能耗增加。至于定址與控制信號則與傳統(tǒng)SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。
DDR內(nèi)存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補內(nèi)存帶寬上的不足。第一代DDR200 規(guī)范并沒有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz時鐘×2倍數(shù)據(jù)傳輸=266MHz帶寬）是由PC133SDRAM內(nèi)存所衍生出的，它將DDR 內(nèi)存帶向第一個高潮，目前還有不少賽揚和AMD K7處理器都在采用DDR266規(guī)格的內(nèi)存，其后來的DDR333內(nèi)存也屬于一種過度，而DDR400內(nèi)存成為目前的主流平臺選配，雙通道DDR400內(nèi)存已經(jīng)成為800FSB處理器搭配的基本標準，隨后的DDR533 規(guī)范則成為超頻用戶的選擇對象。
DDR2時代
隨著CPU 性能不斷提高，我們對內(nèi)存性能的要求也逐步升級。不可否認，緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會力不從心，因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標準，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平臺開始對DDR2內(nèi)存的支持，所以DDR2內(nèi)存將開始演義內(nèi)存領(lǐng)域的今天。
DDR2 能夠在100MHz 的發(fā)信頻率基礎(chǔ)上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其接口將運行于1.8V 電壓上，從而進一步降低發(fā)熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標和中斷指令，提升內(nèi)存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標準來看，針對PC等市場的DDR2內(nèi)存將擁有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。高端的DDR2內(nèi)存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內(nèi)存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內(nèi)存將采用0.13微米的生產(chǎn)工藝，內(nèi)存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。
內(nèi)存技術(shù)在2005年將會毫無懸念，SDRAM為代表的靜態(tài)內(nèi)存在五年內(nèi)不會普及。QBM與RDRAM內(nèi)存也難以挽回頹勢，因此DDR與DDR2共存時代將是鐵定的事實。
PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory）也是很重要的一員。VCM即“虛擬通道存儲器”，這也是目前大多數(shù)較新的芯片組支持的一種內(nèi)存標準，VCM內(nèi)存主要根據(jù)由NEC公司開發(fā)的一種“緩存式DRAM”技術(shù)制造而成，它集成了“通道緩存”，由高速寄存器進行配置和控制。在實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐瑫r，VCM還維持著對傳統(tǒng)SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM內(nèi)存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在于不論是否經(jīng)過CPU處理的數(shù)據(jù)，都可先交于VCM進行處理，而普通的SDRAM就只能處理經(jīng)CPU處理以后的數(shù)據(jù)，所以VCM要比SDRAM處理數(shù)據(jù)的速度快20%以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。
3．RDRAM
Intel在推出：PC-100后，由于技術(shù)的發(fā)展，PC-100內(nèi)存的800MB/s帶寬已經(jīng)不能滿足需求，而PC-133的帶寬提高并不大（1064MB/s），同樣不能滿足日后的發(fā)展需求。Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus公司聯(lián)合在PC市場推廣Rambus DRAM(DirectRambus DRAM）。
Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一種內(nèi)存規(guī)格，采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機）理論，從而可以減少數(shù)據(jù)的復雜性，使得整個系統(tǒng)性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit總線，在一個時鐘周期內(nèi)，可以在上升沿和下降沿的同時傳輸數(shù)據(jù)，這樣它的實際速度就為400MHz×2=800MHz，理論帶寬為（16bit×2×400MHz/8）1.6GB/s，相當于PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit字節(jié)，額外的一比特是屬于保留比特，可能以后會作為：ECC(ErroI·Checking and Correction，錯誤檢查修正）校驗位。Rambus的時鐘可以高達400MHz，而且僅使用了30條銅線連接內(nèi)存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus內(nèi)嵌式內(nèi)存模塊），減少銅線的長度和數(shù)量就可以降低數(shù)據(jù)傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高內(nèi)存的工作頻率。不過在高頻率下，其發(fā)出的熱量肯定會增加，因此第一款Rambus內(nèi)存甚至需要自帶散熱風扇。
DDR3時代
DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓，從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3目前最高能夠達到2000Mhz的速度，盡管目前最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3內(nèi)存模組仍會從1066Mhz起跳。
一、DDR3在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計：
1．8bit預取設(shè)計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
2．采用點對點的拓樸架構(gòu)，以減輕地址/命令與控制總線的負擔。
3．采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。部分廠商已經(jīng)推出1.35V的低壓版DDR3內(nèi)存。
DDR4時代
內(nèi)存廠商預計在2012年，DDR4時代將開啟，起步頻率降至1.2V，而頻率提升至2133MHz，次年進一步將電壓降至1.0V，頻率則實現(xiàn)2667MHz。[1]
新一代的DDR4內(nèi)存將會擁有兩種規(guī)格。根據(jù)多位半導體業(yè)界相關(guān)人員的介紹，DDR4內(nèi)存將會是Single-endedSignaling( 傳統(tǒng)SE信號）方式DifferentialSignaling( 差分信號技術(shù)）方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也對此表示了確認。預計這兩個標準將會推出不同的芯片產(chǎn)品，因此在DDR4內(nèi)存時代我們將會看到兩個互不兼容的內(nèi)存產(chǎn)品。
[2]
其他內(nèi)存
SRAM
SRAM（Static RAM）意為靜態(tài)隨機存儲器。SRAM數(shù)據(jù)不需要通過不斷地刷新來保存，因此速度比DRAM（動態(tài)隨機存儲器）快得多。但是SRAM具有的缺點是：同容量相比DRAM需要非常多的晶體管，發(fā)熱量也非常大。因此SRAM難以成為大容量的主存儲器，通常只用在CPU、GPU中作為緩存，容量也只有幾十K至幾十M。
SRAM目前發(fā)展出的一個分支是eSRAM（Enhanced SRAM），為增強型SRAM，具備更大容量和更高運行速度。
RDRAM
RDRAM是由RAMBUS公司推出的內(nèi)存。RDRAM內(nèi)存條為16bit，但是相比同期的SDRAM具有更高的運行頻率，性能非常強。
然而它是一個非開放的技術(shù)，內(nèi)存廠商需要向RAMBUS公司支付授權(quán)費。并且RAMBUS內(nèi)存的另一大問題是不允許空通道的存在，必須成對使用，空閑的插槽必須使用終結(jié)器。因此，除了短壽的Intel i820和i850芯片組對其提供支持外，PC平臺沒有支持RAMBUS內(nèi)存的芯片組。
可以說，它是一個優(yōu)秀的技術(shù)，但不是一個成功的商業(yè)產(chǎn)品。
XDR RAM
XDR內(nèi)存是RDRAM的升級版。依舊由RAMBUS公司推出。XDR就是“eXtreme Data Rate”的縮寫。
XDR依舊存在RDRAM不能大面普及的那些不足之處。因此，XDR內(nèi)存的應用依舊非常有限。比較常見的只有索尼的PS3游戲機。
Fe-RAM
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內(nèi)容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點。由于數(shù)據(jù)是通過鐵元素的磁性進行存儲，因此，鐵電存儲器無需不斷刷新數(shù)據(jù)。其運行速度將會非常樂觀。而且它相比SRAM需要更少的晶體管。它被業(yè)界認為是SDRAM的最有可能的替代者。
MRAM
磁性存儲器。它和Fe-RAM具有相似性，依舊基于磁性物質(zhì)來記錄數(shù)據(jù)。
OUM
相變存儲器。
奧弗辛斯基（Stanford Ovshinsky）在1968年發(fā)表了第一篇關(guān)于非晶體相變的論文，創(chuàng)立了非晶體半導體學。一年以后，他首次描述了基于相變理論的存儲器：材料由非晶體狀態(tài)變成晶體，再變回非晶體的過程中，其非晶體和晶體狀態(tài)呈現(xiàn)不同的反光特性和電阻特性，因此可以利用非晶態(tài)和晶態(tài)分別代表“0”和“1”來存儲數(shù)據(jù)。[3]
相關(guān)問題
延遲問題
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標準DDR內(nèi)存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，?/span>DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。
這樣也就出現(xiàn)了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時要慢于前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。
封裝發(fā)熱量
DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。
DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。
DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對于DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點的變化是意義重大的。
DDR2
除了以上所說的區(qū)別外，DDR2還引入了三項新的技術(shù)，它們是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅(qū)動調(diào)整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調(diào)整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質(zhì)。
ODT：ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內(nèi)存模組對終結(jié)電路的要求是不一樣的，終結(jié)電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號比和反射率，終結(jié)電阻小則數(shù)據(jù)線信號反射低但是信噪比也較低；終結(jié)電阻高，則數(shù)據(jù)線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組，還會在一定程度上影響信號品質(zhì)。DDR2可以根據(jù)自己的特點內(nèi)建合適的終結(jié)電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質(zhì)，這是DDR不能比擬的。
Post CAS：它是為了提高DDR II內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號后面的一個時鐘周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）后面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設(shè)置。由于CAS信號放在了RAS信號后面一個時鐘周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產(chǎn)生碰撞沖突。
總的來說，DDR2采用了諸多的新技術(shù)，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術(shù)的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。
DDR3
1．突發(fā)長度（Burst Length，BL）
由于DDR3的預取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。
2．尋址時序（Timing）
就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設(shè)計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數(shù)——寫入延遲（CWD），這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。
3．DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一項重要功能，并為此專門準備了一個引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能，如今終于在DDR3上實現(xiàn)了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內(nèi)存將停止所有操作，并切換至最少量活動狀態(tài)，以節(jié)約電力。
在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉，所有內(nèi)部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節(jié)省電力的目的。
4．DDR3新增ZQ校準功能
ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）來自動校驗數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動器導通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當系統(tǒng)發(fā)出這一指令后，將用相應的時鐘周期（在加電與初始化之后用512個時鐘周期，在退出自刷新操作后用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。
5．參考電壓分成兩個
在DDR3系統(tǒng)中，對于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ，這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級。
6．點對點連接（Point-to-Point，P2P）
這是為了提高系統(tǒng)性能而進行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中，一個內(nèi)存控制器只與一個內(nèi)存通道打交道，而且這個內(nèi)存通道只能有一個插槽，因此，內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點對點（P2P）的關(guān)系（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（Point-to-two-Point，P22P）的關(guān)系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負載。而在內(nèi)存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標準DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務(wù)器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2（高級內(nèi)存緩沖器）。
面向64位構(gòu)架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢，此外，由于DDR3所采用的根據(jù)溫度自動自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動設(shè)備的歡迎，就像最先迎接DDR2內(nèi)存的不是臺式機而是服務(wù)器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺式機領(lǐng)域，DDR3未來也是一片光明。目前Intel預計在明年第二季所推出的新芯片-熊湖（Bear Lake），其將支持DDR3規(guī)格，而AMD也預計同時在K9平臺上支持DDR2及DDR3兩種規(guī)格。
內(nèi)存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內(nèi)存工作頻率與CPU的外頻不一致時都可以稱為內(nèi)存異步工作模式。首先，最早的內(nèi)存異步工作模式出現(xiàn)在早期的主板芯片組中，可以使內(nèi)存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下（注意只是簡單相差33MHz），從而可以提高系統(tǒng)內(nèi)存性能或者使老內(nèi)存繼續(xù)發(fā)揮余熱。其次，在正常的工作模式（CPU不超頻）下，目前不少主板芯片組也支持內(nèi)存異步工作模式，例如Intel 910GL芯片組，僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作（注意此時其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經(jīng)相差66MHz了），只不過搭配不同的內(nèi)存其性能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內(nèi)存拖CPU超頻能力的后腿，此時可以調(diào)低內(nèi)存的工作頻率以便于超頻，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻，不少產(chǎn)品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內(nèi)存同步的工作模式下，此時內(nèi)存的等效頻率將高達DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內(nèi)存設(shè)置為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之后，前者也不過才DDR 500（某些極品內(nèi)存可以達到），而后者更是只有DDR 400（完全是正常的標準頻率），由此可見，正確設(shè)置內(nèi)存異步模式有助于超頻
三代內(nèi)存的區(qū)別
三代內(nèi)存的區(qū)別
成功。
目前的主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存異步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持，而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。
容量
內(nèi)存容量同硬盤、軟盤等存儲器容量單位都是相同的，它們的基本單位都是字節(jié)（B），并且：
內(nèi)存
內(nèi)存
1024B=1KB=1024字節(jié)=2^10字節(jié)（^代表次方）
1024KB=1MB=1048576字節(jié)=2^20字節(jié)1024MB=1GB=1073741824字節(jié)=2^30字節(jié)
1024GB=1TB=1099511627776字節(jié)=2^40字節(jié)
1024TB=1PB=1125899906842624字節(jié)=2^50字節(jié)
1024PB=1EB=115 292150 4606846976字節(jié)=2^60字節(jié)
1024EB=1ZB=1180591620717411303424字節(jié)=2^70字節(jié)
1024ZB=1YB=1208925819614629174706176字節(jié)=2^80字節(jié)
大小
內(nèi)存的種類和運行頻率會對性能有一定影響，不過相比之下，容量的影響更加大。在其他配置相同的條件下內(nèi)存越大機器性能也就越高。[4] 內(nèi)存的價格小幅走低，2011年前后，電腦內(nèi)存的配置越來越大，一般都在1G以上，更有2G、4G、6G內(nèi)存的電腦。
內(nèi)存作為電腦中重要的配件之一，內(nèi)存容量的大小確實能夠直接關(guān)系到整個系統(tǒng)的性能。因此，內(nèi)存容量已經(jīng)越來越受到消費者的關(guān)注。尤其在目前WIN7操作系統(tǒng)已經(jīng)開始取代XP之時，對于最新的WIN7操作系統(tǒng)，多數(shù)消費者都認為大容量能讓其內(nèi)存評分得到提升。
內(nèi)存的工作原理。從功能上理解，我們可以將內(nèi)存看作是內(nèi)存控制器與CPU之間的橋梁，內(nèi)存也就相當于“倉庫”。顯然，內(nèi)存的容量決定“倉庫”的大小，而內(nèi)存的速度決定“橋梁”的寬窄，兩者缺一不可，這也就是我們常常說道的“內(nèi)存容量”與“內(nèi)存速度”。
內(nèi)存帶寬的計算方法并不復雜，大家可以遵循如下的計算公式：帶寬=總線寬度×總線頻率×一個時鐘周期內(nèi)交換的數(shù)據(jù)包個數(shù)。很明顯，在這些乘數(shù)因子中，每個都會對最終的內(nèi)存帶寬產(chǎn)生極大的影響。在PCMark Vantage測試中，可以看到2GB和4GB DDR3-1600內(nèi)存性能比較接近，其中2GB內(nèi)存僅在啟動一些辦公軟件時候比較落后，畢竟少了一半容量所以運行起來比較吃力。而在3DmarkVantage游戲性能測試中，我們可以看出在Win7系統(tǒng)下，2GB和4GB內(nèi)存的性能區(qū)別不是很大，成績非常接近。同時，在WIN7環(huán)境下，2GB內(nèi)存與4GB內(nèi)存差別很小，有些情況下甚至沒有差別，這時如果想提高內(nèi)存性能，光想著升級容量意義并不是很大。
寬帶
何謂內(nèi)存帶寬
從功能上理解，我們可以將內(nèi)存看作是內(nèi)存控制器（一般位于北橋芯片中）與CPU之間的橋梁或與倉庫。顯然，內(nèi)存的容量決定“倉庫”的大小，而內(nèi)存的帶寬決定“橋梁”的寬窄，兩者缺一不可，這也就是我們常常說道的“內(nèi)存容量”與“內(nèi)存速度”。除了內(nèi)存容量與內(nèi)存速度，延時周期也是決定其性能的關(guān)鍵。當CPU需要內(nèi)存中的數(shù)據(jù)時，它會發(fā)出一個由內(nèi)存控制器所執(zhí)行的要求，內(nèi)存控制器接著將要求發(fā)送至內(nèi)存，并在接收數(shù)據(jù)時向CPU報告整個周期（從CPU到內(nèi)存控制器，內(nèi)存再回到CPU）所需的時間。毫無疑問，縮短整個周期也是提高內(nèi)存速度的關(guān)鍵，這就好比在橋梁上工作的警察，其指揮疏通能力也是決定通暢度的因素之一。更快速的內(nèi)存技術(shù)對整體性能表現(xiàn)有重大的貢獻，但是提高內(nèi)存帶寬只是解決方案的一部分，數(shù)據(jù)在CPU以及內(nèi)存間傳送所花的時間通常比處理器執(zhí)行功能所花的時間更長，為此緩沖區(qū)被廣泛應用。其實，所謂的緩沖器就是CPU中的一級緩存與二級緩存，它們是內(nèi)存這座“大橋梁”與CPU之間的“小橋梁”。事實上，一級緩存與二級緩存采用的是SRAM，我們也可以將其寬泛地理解為“內(nèi)存帶寬”，不過現(xiàn)在似乎更多地被解釋為“前端總線”，所以我們也只是簡單的提一下。事先預告一下，“前端總線”與“內(nèi)存帶寬”之間有著密切的聯(lián)系，我們將會在后面的測試中有更加深刻的認識。
帶寬重要性
內(nèi)存帶寬為何會如此重要呢？在回答這一問題之前，我們先來簡單看一看系統(tǒng)工作的過程?；旧袭?/span>CPU接收到指令后，它會最先向CPU中的一級緩存（L1Cache）去尋找相關(guān)的數(shù)據(jù)，雖然一級緩存是與CPU同頻運行的，但是由于容量較小，所以不可能每次都命中。這時CPU會繼續(xù)向下一級的二級緩存（L2Cache）尋找，同樣的道理，當所需要的數(shù)據(jù)在二級緩存中也沒有的話，會繼續(xù)轉(zhuǎn)向L3Cache（如果有的話，如K6-2+和K6-3）、內(nèi)存和硬盤。由于目前系統(tǒng)處理的數(shù)據(jù)量都是相當巨大的，因此幾乎每一步操作都得經(jīng)過內(nèi)存，這也是整個系統(tǒng)中工作最為頻繁的部件。如此一來，內(nèi)存的性能就在一定程度上決定了這個系統(tǒng)的表現(xiàn)，這點在多媒體設(shè)計軟件和3D游戲中表現(xiàn)得更為明顯。3D顯卡的內(nèi)存帶寬（或許稱為顯存帶寬更為合適）的重要性也是不言而喻的，甚至其作用比系統(tǒng)的內(nèi)存帶寬更為明顯。大家知道，顯示卡在進行像素渲染時，都需要從顯存的不同緩沖區(qū)中讀寫數(shù)據(jù)。這些緩沖區(qū)中有的放置描述像素ARGB（阿爾法通道，紅，綠，藍）元素的顏色數(shù)據(jù)，有的放置像素Z值（用來描述像素的深度或者說可見性的數(shù)據(jù)）。顯然，一旦產(chǎn)生Z軸數(shù)據(jù)，顯存的負擔會立即陡然提升，在加上各種材質(zhì)貼圖、深度復雜性渲染、3D特效.
提高內(nèi)存帶寬
內(nèi)存帶寬的計算方法并不復雜，大家可以遵循如下的計算公式：帶寬=總線寬度×總線頻率×一個時鐘周期內(nèi)交換的數(shù)據(jù)包個數(shù)。很明顯，在這些乘數(shù)因子中，每個都會對最終的內(nèi)存帶寬產(chǎn)生極大的影響。然而，如今在頻率上已經(jīng)沒有太大文章可作，畢竟這受到制作工藝的限制，不可能在短時間內(nèi)成倍提高。而總線寬度和數(shù)據(jù)包個數(shù)就大不相同了，簡單的改變會令內(nèi)存帶寬突飛猛進。DDR技術(shù)就使我們感受到提高數(shù)據(jù)包個數(shù)的好處，它令內(nèi)存帶寬瘋狂地提升一倍。當然，提高數(shù)據(jù)包個數(shù)的方法不僅僅局限于在內(nèi)存上做文章，通過多個內(nèi)存控制器并行工作同樣可以起到效果，這也就是如今熱門的雙通道DDR芯片組（如nForce2、I875/865等）。事實上，雙通道DDR內(nèi)存控制器并不能算是新發(fā)明，因為早在RAMBUS時代，RDRAM就已經(jīng)使用了類似技術(shù)，只不過當時RDRAM的總線寬度只有16Bit，無法與DDR的64Bit相提并論。內(nèi)存技術(shù)發(fā)展到如今這一階段，四通道內(nèi)存控制器的出現(xiàn)也只是時間問題，VIA的QBM技術(shù)以及SiS支持四通道RDRAM的芯片組，這些都是未來的發(fā)展方向。至于顯卡方面，我們對其顯存帶寬更加敏感，這甚至也是很多廠商用來區(qū)分高低端產(chǎn)品的重要方面。同樣是使用DDR顯存的產(chǎn)品，128Bit寬度的產(chǎn)品會表現(xiàn)出遠遠勝過64Bit寬度的產(chǎn)品。當然提高顯存頻率也是一種解決方案，不過其效果并不明顯，而且會大幅度提高成本。值得注意的是，目前部分高端顯卡甚至動用了DDRII技術(shù)，不過至少在目前看來，這項技術(shù)還為時過早。
識別內(nèi)存帶寬
對于內(nèi)存而言，辨別內(nèi)存帶寬是一件相當簡單的事情，因為SDRAM、DDR、RDRAM這三種內(nèi)存在外觀上有著很大的差別，大家通過下面這副圖就能清楚地認識到。唯一需要我們?nèi)ケ嬲J的便是不同頻率的DDR內(nèi)存。目前主流DDR內(nèi)存分為DDR266、DDR333以及DDR400，其中后三位數(shù)字代表工作頻率。通過內(nèi)存條上的標識，自然可以很方便地識別出其規(guī)格。相對而言，顯卡上顯存帶寬的識別就要困難一些。在這里，我們應該抓住“顯存位寬”和“顯存頻率”兩個重要的技術(shù)指標。顯存位寬的計算方法是：單塊顯存顆粒位寬×顯存顆?？倲?shù)，而顯存頻率則是由"1000/顯存顆粒納秒數(shù)"來決定。一般來說，我們可以從顯存顆粒上一串編號的最后2兩位看出其納秒數(shù)，從中也就得知其顯存頻率。至于單塊顯存顆粒位寬，我們只能在網(wǎng)上查詢。HY、三星、EtronTech（鈺創(chuàng)）等都提供專用的顯存編號查詢網(wǎng)站，相當方便。如三星的顯存就可以到如下的地址下載，只要輸入相應的顯存顆粒編號即可。此外，使用RivaTuner也可以檢測顯卡上顯存的總位寬，大家打開RivaTuner在MAIN菜單即可看到。
選購方法
做工要精良
對于選擇內(nèi)存來說，最重要的是穩(wěn)定性和性能，而內(nèi)存的做工水平直接會影響到性能、穩(wěn)定以及超頻。
內(nèi)存顆粒的好壞直接影響到內(nèi)存的性能，可以說也是內(nèi)存最重要的核心元件。所以大家在購買時，盡量選擇大廠生產(chǎn)出來的內(nèi)存顆粒，一般常見的內(nèi)存顆粒廠商有三星、現(xiàn)代、鎂光、南亞、茂矽等，它們都是經(jīng)過完整的生產(chǎn)工序，因此在品質(zhì)上都更有保障。而采用這些頂級大廠內(nèi)存顆粒的內(nèi)存條品質(zhì)性能，必然會比其他雜牌內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品要高出許多。
內(nèi)存PCB電路板的作用是連接內(nèi)存芯片引腳與主板信號線，因此其做工好壞直接關(guān)系著系統(tǒng)穩(wěn)定性。目前主流內(nèi)存PCB電路板層數(shù)一般是6層，這類電路板具有良好的電氣性能，可以有效屏蔽信號干擾。而更優(yōu)秀的高規(guī)格內(nèi)存往往配備了8層PCB電路板，以起到更好的效能。
SPD隱藏信息
SPD信息可以說非常重要，它能夠直觀反映出內(nèi)存的性能及體制。它里面存放著內(nèi)存可以穩(wěn)定工作的指標信息以及產(chǎn)品的生產(chǎn)，廠家等信息。不過，由于每個廠商都能對SPD進行隨意修改，因此很多雜牌內(nèi)存廠商會將SPD參數(shù)進行修改或者直接COPY名牌產(chǎn)品的SPD，但是一旦上機用軟件檢測就會原形畢露。
因此，大家在購買內(nèi)存以后，回去用常用的Everest、CPU-Z等軟件一查即可明白。不過需要注意的是，對于大品牌內(nèi)存來說SPD參數(shù)是非常重要的，但是對于雜牌內(nèi)存來說，SPD的信息并不值得完全相信。
假冒返修產(chǎn)品
目前有一些內(nèi)存往往使用了不同品牌、型號的內(nèi)存顆粒，大家一眼就可以看出區(qū)別。同時有些無孔不入的JS也會采用打磨內(nèi)存顆粒的作假手段，然后再加印上新的編號參數(shù)。不過仔細觀察，就會發(fā)現(xiàn)打磨過后的芯片比較暗淡無光，有起毛的感覺，而且加印上的字跡模糊不清晰。這些一般都是假冒的內(nèi)存產(chǎn)品，需要注意。
此外，大家還要觀察PCB電路板是否整潔，有無毛刺等等，金手指是否很明顯有經(jīng)過插拔所留下的痕跡，如果有，則很有可能是返修內(nèi)存產(chǎn)品（當然也不排除有廠家出廠前經(jīng)過測試，不過比較少數(shù)）。需要提醒大家的是，返修和假冒內(nèi)存無論多么便宜都不值得購買，因為其安全隱患十分嚴重。
故障修復
一、開機無顯示[1]
由于內(nèi)存條原因出現(xiàn)此類故障一般是因為內(nèi)存條與主板內(nèi)存插槽接觸不良造成，只要用橡皮擦來回擦試其金手指部位即可解決問題（不要用酒精等清洗），還有就是內(nèi)存損壞或主板內(nèi)存槽有問題也會造成此類故障。
由于內(nèi)存條原因造成開機無顯示故障，主機揚聲器一般都會長時間蜂鳴（針對Award Bios而言）
內(nèi)存
內(nèi)存
二、windows系統(tǒng)運行不穩(wěn)定，經(jīng)常產(chǎn)生非法錯誤
出現(xiàn)此類故障一般是由于內(nèi)存芯片質(zhì)量不良或軟件原因引起，如若確定是內(nèi)存條原因只有更換一途。
三、windows注冊表經(jīng)常無故損壞，提示要求用戶恢復
此類故障一般都是因為內(nèi)存條質(zhì)量不佳引起，很難予以修復，唯有更換一途。
四、windows經(jīng)常自動進入安全模式
此類故障一般是由于主板與內(nèi)存條不兼容或內(nèi)存條質(zhì)量不佳引起，常見于PC133內(nèi)存用于某些不支持PC133內(nèi)存條的主板上，可以嘗試在CMOS設(shè)置內(nèi)降低內(nèi)存讀取速度看能否解決問題，如若不行，那就只有更換內(nèi)存條了。
五、隨機性死機
此類故障一般是由于采用了幾種不同芯片的內(nèi)存條，由于各內(nèi)存條速度不同產(chǎn)生一個時間差從而導致死機，對此可以在CMOS設(shè)置內(nèi)降低內(nèi)存速度予以解決，否則，唯有使用同型號內(nèi)存。還有一種可能就是內(nèi)存條與主板不兼容，此類現(xiàn)象一般少見，另外也有可能是內(nèi)存條與主板接觸不良引起電腦隨機性死機，此類現(xiàn)象倒是比較常見。
六、內(nèi)存加大后系統(tǒng)資源反而降低
此類現(xiàn)象一般是由于主板與內(nèi)存不兼容引起，常見于PC133內(nèi)存條用于某些不支持PC133內(nèi)存條的主板上，即使系統(tǒng)重裝也不能解決問題。
七、windows啟動時，在載入高端內(nèi)存文件himem.sys時系統(tǒng)提示某些地址有問題
此問題一般是由于內(nèi)存條的某些芯片損壞造成，解決方法可參見下面內(nèi)存維修一法。
八、運行某些軟件時經(jīng)常出現(xiàn)內(nèi)存不足的提示
此現(xiàn)象一般是由于系統(tǒng)盤剩余空間不足造成，可以刪除一些無用文件，多留一些空間即可，一般保持在300M左右為宜。
九、從硬盤引導安裝windows進行到檢測磁盤空間時，系統(tǒng)提示內(nèi)存不足
此類故障一般是由于用戶在config.sys文件中加入了emm386.exe文件，只要將其屏蔽掉即可解決問題。
十、安裝windows進行到系統(tǒng)配置時產(chǎn)生一個非法錯誤
此類故障一般是由于內(nèi)存條損壞造成，可以按內(nèi)存維修一法來解決，如若不行，那就只有更換內(nèi)存條了。
十一、啟動windows時系統(tǒng)多次自動重新啟動
此類故障一般是由于內(nèi)存條或電源質(zhì)量有問題造成，當然，系統(tǒng)重新啟動還有可能是CPU散熱不良或其他人為故障造成，對此，唯有用排除法一步一步排除。
十二、內(nèi)存維修一法
出現(xiàn)上面幾種故障后，倘若內(nèi)存損壞或芯片質(zhì)量不行，如條件不允許可以用烙鐵將內(nèi)存一邊的各芯片卸下，看能否解決問題，如若不行再換卸另一邊的芯片，直到成功為止（如此焊工只怕要維修手機的人方可達到）。當然，有條件用示波器檢測那就事半功倍了），采用此法后，因為已將內(nèi)存的一邊芯片卸下，所以內(nèi)存只有一半可用，例如，64M還有32M可用，為此，對于小容量內(nèi)存就沒有維修的必要了。
常見誤解
內(nèi)部外存儲器
這種情況主要是發(fā)生在描述移動設(shè)備的內(nèi)部集成的數(shù)據(jù)存放空間時。比如一臺手機具備8G的數(shù)據(jù)存儲空間，不少人將其描述為“8G內(nèi)存”，事實上，這種表述是錯誤的，因為所謂的“8G內(nèi)存”是一個外存儲器。不能將“內(nèi)部的外存儲器”簡稱為”內(nèi)存，因為內(nèi)存是一個特定的概念，為內(nèi)存儲器的簡稱。
存儲卡的容量
存儲卡的容量不應當簡稱為“內(nèi)存”，因其也是外存儲器
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